美国 KRI 霍尔离子源 eH2000

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性：

1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流

2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便

5.高效的等离子转换和稳定的功率控制

在售型号及技术参数:

应用领域：

1. 离子辅助镀膜 IAD

2. 预清洗 Load lock preclean

3. 预清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates

应用案例

1.伯东 KRI 霍尔离子源 EH400 HC用于离子刻蚀 IBE

2. KRI 霍尔离子源 EH 3000 HC用于辅助天文望远镜镜片镀膜

3. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 4200辅助镀膜 IBAD用于 PC 预清洁

4. KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜

5. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 5500辅助手机壳颜色镀膜

6. KRI 霍尔离子源 EH 3000HC成功应用于天文望远镜镜片离子辅助镀膜工艺IBAD

7. 伯东 KRI霍尔离子源在样品清洗前处理中的应用