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美国 KRI 射频离子源 RFICP40

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品牌: KRI
离子束流: >100 mA
栅极直径: 4 cm Φ
流量: 3-10 sccm
单价: 1.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 1 台
发货期限: 自买家付款之日起 60 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-01-21 12:55
浏览次数: 202
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公司基本资料信息
详细说明

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于集成在小型的真空腔体内.


特性:

1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝通过射频技术提供高密度离子工艺时间更长.

2. 离子源结构模块化设计使用更简单基座可调节有效优化蚀刻率和均匀性.

3. 提供聚焦发散平行的离子束

4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用

6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性


技术参数:

离子源型号

RFICP 40

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>100 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

直径

13.5 cm

中和器

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量


应用领域:

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE



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