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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J

点击图片查看原图
 
品牌: Hakuto
均匀性: ±5%
硅片刻蚀率: 20 nm/min
离子源: Φ20cm 考夫曼离子源
单价: 1.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 1 台
发货期限: 自买家付款之日起 60 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-01-21 10:10
浏览次数: 201
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公司基本资料信息
详细说明

上海伯东日本原装进口适合大规模量产使用的 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J, 无论使用什么材料都可以用来加工.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 配置使用美国 KRI Φ20cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 刻蚀速率: 20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.


主要优点:

1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.

2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.

3. 配置使用美国考夫曼离子源

4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.

5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.

6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.

7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.


技术参数

离子蚀刻

Φ4 inch X 12片

基片尺寸

Φ4 inch X 12片
Φ5 inch X 10片
Φ6 inch X 8片

样品台

直接冷却,水冷

离子源

Φ20cm 考夫曼离子源

 

通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
NS离子蚀刻机


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