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产
品
特
点 与普通的CVD系统相比，因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。
配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温，实现快速退火。
操控界面可配备液晶操作系统，图文显示，直观易懂，对于设备的使用操作简单易学
该系统最高工作温度接近1150℃，能满足大多数热处理场合。
该设备可具体用于：碳、 ZnO 纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验 。
等
离
子
发
生
器 输出功率: 5 ～500W ± 1% .
射频频率: 13.56 MHz ±0.005% .
反射功率: 最大约200W
阻抗匹配: 自动
真
空
泵
机
组 双极旋片泵, 极限真空0.1Pa
KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连.
管内真空可达1Pa
可选：本公司进口的防腐型数字式真空显示计，其测量范围为3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。（需要另外计算费用）
质量流量计 三通道的质量流量计(精度0.02% ) ：数字显示，自动控制.
MFC 1范围: 0~100 sccm
MFC 2和3: 0~500 sccm
一个混气罐，底部装有泄废液口.
进气接口: 1/4NPS.
出气接口: 1/4NPS.
水冷系统 水冷法兰要求：水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组。
管式炉 炉管直径：80mm
炉管长度：1400mm
炉膛长度：440mm
控温精度：±1℃
工作温度：≦1200℃
PECVD实验系统 等离子增强型PECVD实验系统