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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 属于无栅网离子源. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
伯东 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
2.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
4.高效的等离子转换和稳定的功率控制
技术参数:
型号
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供电
DC magnetic confinement
- 电压
40-300V VDC
- 离子源直径
~ 5 cm
- 阳极结构
模块化
电源控制
eHx-30010A
配置
-
- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度
> 45° (hwhm)
- 阳极
标准或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移动或快接法兰
- 高度
4.0'
- 直径
5.7'
- 加工材料
金属
- 工艺气体
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离
10-36”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
应用领域:
1.离子辅助镀膜 IAD
2.预清洗 Load lock preclean
3.预清洗 In-situ preclean
4.Direct Deposition
5.Surface Modification
6.Low-energy etching
7.III-V Semiconductors
8.Polymer Substrates
应用案例
1.伯东 KRI 霍尔离子源 EH400 HC用于离子刻蚀 IBE
2. KRI 霍尔离子源 EH 3000 HC用于辅助天文望远镜镜片镀膜
3. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 4200辅助镀膜 IBAD用于 PC 预清洁
4. KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜
5. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 5500辅助手机壳颜色镀膜
6. KRI 霍尔离子源 EH 3000HC成功应用于天文望远镜镜片离子辅助镀膜工艺IBAD
7. 伯东 KRI霍尔离子源在样品清洗前处理中的应用
电介质
半导体