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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数：
型号 | KDC 40 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 1 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | 专用, 自对准 |
-栅极直径 | 4 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架构 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 6.75' |
- 直径 | 3.5' |
- 离子束 | 集中 |
平行 | |
散设 | |
-加工材料 | 金属 |
电介质 | |
半导体 | |
-工艺气体 | 惰性 |
活性 | |
混合 | |
-安装距离 | 6-18” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架 |
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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