FIB诱导沉积金属源

FIB (Focused Ion Beam) 聚焦离子束技术为芯片研发和芯片制造分析过程提供了至关重要的辅助支持。它
的基本原理是静电透镜聚焦的高能量镓离子, 经高压电场加速后撞击试片表面，在特定气体协作下产生图
像并移除或沉淀( 连接) 物质。广泛应用于掩模修正、电路修改和失效分析。百灵威从美国STREM 公司引
进FIB 深层微沉积高纯有机金属源，品种多，包装全，满足您的不同需求。